Форум Радиолюбителей

Усилители мощности на современных транзисторах

2042664 просмотров, 1497 ответов — стр. 40 из 100

Игорь 2
Сообщений: 21288
18 ноября 2020 г. в 09:19#586
Цитата: nowember711
Я пока фото своего РА не публиковал.


Ну, так не стесняйтесь...
N711
Сообщений: 144
18 ноября 2020 г. в 09:25#587
Пока не готов.....
Игорь 2
Сообщений: 21288
18 ноября 2020 г. в 09:27#588
И с намагниченными дросселями на 43 материале не особо разгоняйтесь - 3А*виток уже снижает индуктивность более чем в два раза, они там у Вас чуть не пустышками работают...
12А на виток - снижение индуктивности в 8.5 раз.
N711
Сообщений: 144
18 ноября 2020 г. в 09:34#589
На дросселях из 43 материала не планировал и не делал.
У меня на одном кольце Fair-Rite 5961001201.И по другому не будет.
Игорь 2
Сообщений: 21288
18 ноября 2020 г. в 09:37#590
Цитата: nowember711
На дросселях из 43 материала не планировал и не делал.


А это чья картинка?

N711
Сообщений: 144
18 ноября 2020 г. в 09:42#591
Это всё клоны американской схемы ЕВ104.
У меня в тех др. 73 материал.Они не греются и заметного влияния не оказывают.
А тр. на рисунке.
Такая же "коляска" другого производителя.

Игорь 2
Сообщений: 21288
18 ноября 2020 г. в 10:19#592
Во, и я про что - обмотки разделённые, т. к., технологически довольно сложно обеспечить и симметричное расположение отвода симметрирующего транса, если он с отводом, а не с двумя обмотками, и минимальную длину проводников от стоков к трансу.
У меня был интересный вариант, когда в колечки из 43 материала я вставлял два витка трёх параллельных экранированных фторопластовых проводов, засунутых в термокембрик, индуктивность рассеяния не более чем в полтора раза превышала то же у RF2061, но, появлялась уникальная возможность питать транс через среднюю точку без намагничивания материала.
К сожалению, для 500 Вт не хватало сечения провода - нагревался.
А материал по-моему, особо и не грелся...

N711
Сообщений: 144
18 ноября 2020 г. в 10:29#593
Благодарю за информацию.
Ut1lw
Сообщений: 2113
20 ноября 2020 г. в 01:59#594
Игорь,добр.день!
Такая ситуация: УМ на 2Х5 IRF. 200Вт после ФНЧ на 3,5 и 7Мгц. и140Вт на14Мгц. 27В пит. КПД так себе ~50%. Вых.тр-р-бинокль, трубки и 3вит. вторичка.
Сделал другой вых. тр: перв.два витка экрана и 6 вит. МГТФ 0,75 втор.внутри экр. Перв. в обоих случаях подкл. скраю от линейки транзисторов. Там же и сим.дроссель. Подбором емкостей паралл. первичке значительно упал ток, ну и вырос кпд. на 3,5 и7. А на 14 упала моща и на треть пришлось увеличить раскачку. Стал уменьшать емкости и КПД на 14 вырос до 60%.Но упал на низах.
Пдумал, может дело в ассиметри подключения трансформатора. Перепаял на центр шинок, там же кондеры. Сим.дроссель остался с краю. Включил на меньш. раскачке, выход 60В. Сработала токовая защита БП.
Пробились крайние два транз.по одному в плече возле запайки симм.дросселя. Вот и ломаю голову, отчего? Может из-за места подкл.симм.дросселя?

Игорь 2
Сообщений: 21288
20 ноября 2020 г. в 05:15#595
Вряд ли что-нибудь скажу умное - усилитель на ключевых транзисторах - всегда лотерея, там же глубочайшая обратная связь через ёмкость сток-затвор.
К примеру, у меня до сих пор где-то валяется схема 2*10 КП707В2 на 1 кВт с питанием от сети, так там, если уходить выше 3 МГц, транзисторы просто начинают реально взрываться, осколки как от гранаты летят.
По поводу Вашего вопроса - очевидно, для начала, нужно посмотреть, что там на стоках творится, постепенно поднимая возбуждение, но и это НЕ ГАРАНТИРУЕТ того, что схема резко не сорвётся в возбуд с возможным сгоранием транзисторов.
Очень странно то, что даже на низах параллельные ёмкости начинают поднимать КПД, схему дайте полную.
Но, повторю ещё раз - это рулетка, что-то меняя, Вы рискуете транзисторами, я не несу никакой ответственности за это - имейте это в виду.
Ut1lw
Сообщений: 2113
20 ноября 2020 г. в 06:54#596
Непонятно почему с переносм транса. А так все было без прблем. Гонял по полной.

Игорь 2
Сообщений: 21288
20 ноября 2020 г. в 07:04#597
Про 5.1 в затворах непонятно - у каждого транзистора висит их 5 шт. параллельно, или же, у каждого в затворе 5.1 Ом?
Ut1lw
Сообщений: 2113
20 ноября 2020 г. в 07:10#598
Это схема на каждый транзистор отделно. Каждый имеет эти элементы пнрсонально. На снимке ус. видно. 5,1Ом-каждому.
Игорь 2
Сообщений: 21288
20 ноября 2020 г. в 07:34#599
Да всё ж ясно - схема на грани, и небольшие изменения конфигурации, вызывают критические перегрузки.
Основных вариантов два - либо превышение стоковым напряжением предельно допустимого, либо же, что, скорее всего, резкий улёт в возбуд при определённом уровне определённой частоты из-за чрезвычайно сильной обратной связи.
Я и у себя такое ловил, когда глубина ООС была высокой - на один VRF2933 стало меньше.
Но у меня была возможность снизить глубину, после чего проблемы ушли, а у Вас такой возможности нет.
Почему и ничего умного предложить не могу...
ru9wgru9wg
Сообщений: 561
20 ноября 2020 г. в 07:35#600
Обжегся пару раз на LM317, свистят. Больше не применяю.