Доброго дня!
Сваял микро трансивер на Atmrga328 под названием mSDX. PA на 3х BS170 работают в классе E и отдают около 5 ват мощи. Но после очередного вылета транзисторов , решил поставить что то по мощнее . Впаял RD15 и моща на выходе упала до 2х ватт. В каком направлении двигаться , для поднятия вых. мощности?
Усилитель класса Е
67487 просмотров, 42 ответов — стр. 1 из 3
14 февраля 2021 г. в 10:26#1
14 февраля 2021 г. в 11:11#2
Какие частоты, какое питание, какая схема? 

14 февраля 2021 г. в 11:38#3
Цитата: ra4radВпаял RD15 и моща на выходе упала до 2х ватт.
Логично
Вам надо со стока на землю поставить дополнительную емкость и подобрать ее по максимальной отдаваемой мощности. Ориентировочно там 30-60пф может потребоваться14 февраля 2021 г. в 11:42#4
Там надо измерить индуктивность дросселя или первичку шпт и уже исходя из этого посчитать емкость чтобы образовался контур с отстройкой от рабочей частоты на 1.3 раза в сторону при этом импульсы контролировать на коллекторе. Лучше всего подпаять переменный конденсатор и настроиться по максимальному кпд. При этом импульсы будут где то в полтора раз выше напряжения питания. Система получается довольно узкополосной.
14 февраля 2021 г. в 11:44#5
Цитата: CoreСистема получается довольно узкополосный.
И критичной к нагрузке...

14 февраля 2021 г. в 11:45#6
Очень хорошо про класс е рассказано тут: https://youtu.be/HLb7HIOAMN8см вторую половину видео.
14 февраля 2021 г. в 12:01#7
Нормально там все и у полосой и с нагрузкой - не надо морочить людям голову
Что делать - я написал выше. В классе Е выходная емкость транзистора является частью резонансной ситемы на выходе усилителя. У трех BS170 она выше чем у одного RD15 (см. даташитъ). Поэтому резонанс "уехал" и мощность упала. Варьируем дополнительную емкость и крутим до получения максимальной отдачи
Делать это надо в режиме CW. Чтобы получить максимум с SSB возможно придется еще и смещение подобрать
Что делать - я написал выше. В классе Е выходная емкость транзистора является частью резонансной ситемы на выходе усилителя. У трех BS170 она выше чем у одного RD15 (см. даташитъ). Поэтому резонанс "уехал" и мощность упала. Варьируем дополнительную емкость и крутим до получения максимальной отдачиДелать это надо в режиме CW. Чтобы получить максимум с SSB возможно придется еще и смещение подобрать
14 февраля 2021 г. в 12:06#8
Намотайте дроссель с стоке 1 мкгн или 10 мкгн и шунтирующая емкость будет разной. Просто съедем в класс ц где кпд ниже. И класс е ни как не вяжется с линейным усилением
вы далеко не в теме
вы далеко не в теме 14 февраля 2021 г. в 12:15#9
Цитата: RelayerЧтобы получить максимум с SSB возможно придется еще и смещение подобрать
А что в ключевом режиме можно и SSB работать?

14 февраля 2021 г. в 01:39#10
Цитата: Coreвы далеко не в теме
Вы для начала посмотрите схему аппарата о котором идет речь, а потом будете мне тут про тему рассказывать
Цитата: ИгорьА что в ключевом режиме можно и SSB работать?
Игорь, вы точно так же не в теме. В uSDX реализован синтетический метод формирования SSB. Выходной каскад работает в ключевом режиме класс Е. Модуляция - изменением смещения. имд -33dbc
14 февраля 2021 г. в 02:31#11
Цитата: RelayerИгорь, вы точно так же не в теме. В uSDX реализован синтетический метод формирования SSB.
Естественно, потому и спросил. Хотя, меняя угол отсечки, мы с этого заветного режима Е, вообще-то говоря, уходим 44443, как мне интуиция подсказывает, со всеми вытекающими проблемами разрядки ключевым транзистором заряженного конденсатора между истоком и стоком, почему и вылетают транзисторы в этой чудо-схеме - долбёжка ничем не ограниченным током рано или поздно кристалл разрушит.

В связи с чем, и вывод - попытки вводить SSB в усилитель класса Е через затвор - разводилово для доверчивых лохов, ибо, повторю, в классе Е он может работать ТОЛЬКО при одном фиксированном угле отсечки, а, как только с него сдвигаемся, переводим транзистор в ключевой режим с ударными токами через сток.

Понятно, что что-то там работать будет, но с нулевой надёжностью, и при SSB данное изделие ничего общего с классом Е иметь не будет.

Модель где-то далеко, а интуиция в большинстве случаев, меня не подводит...
14 февраля 2021 г. в 02:58#12
Цитата: ИгорьВ связи с чем, и вывод - попытки вводить SSB в усилитель класса Е через затвор - разводилово для доверчивых лохов
А вот вводить модуляцию по стоку, оставляя неизменным угол отсечки, и сохраняя класс Е - это уже не разводилово, и это можно реально делать. Проблема только в том, что её не так просто ввести, как вводить в заблуждение неискушённую публику, манипулируя смещением в затворе ключевого транзистора...
14 февраля 2021 г. в 04:11#13
Цитата: veso74Открывайте схему и описание
Ну, и где эта схема и описание?

Особенно интересно, где подведена теоретическая база под возможность управления через затвор амплитудой выходного сигнала усилителя класса Е.

Короткими фрагментами посмотрел, что там дядька на видео рассказывает, глупостей не увидел.

В сущности, чтобы разобраться в физике пяти деталей, лично мне лекция не нужна, достаточно математики на уровне первого семестра любого технического ВУЗа.
14 февраля 2021 г. в 04:13#14
Нет смисль писать, удалил свое сообщение. (пословица есть, но не буду цитировать ее :/)
14 февраля 2021 г. в 04:14#15
Цитата: veso74нет сисл писать
Как это - нету? А кто же мне даст ссылку, как, оставаясь в классе Е, менять амплитуду через затвор?